অত্যন্ত নির্ভরযোগ্য এবং স্ব-উন্নত TO-247AC SiC ডায়োড

ছোট বিবরণ:

প্যাকেজিং কাঠামো: TO-247AC

ভূমিকা: YUNYI TO-247AC SiC ডায়োড সিলিকন কার্বাইড উপাদান দিয়ে তৈরি। SiC ডায়োডগুলি উচ্চ তাপ পরিবাহিতা দ্বারা কার্যকরভাবে শক্তি ঘনত্ব বৃদ্ধি করতে পারে। তাপ পরিবাহিতা যত বেশি হবে, পরিবেশে তাপ নির্গমন করার উপাদানের ক্ষমতা তত বেশি হবে; ডিভাইসের তাপমাত্রা বৃদ্ধি যত কম হবে, পাওয়ার ডিভাইসের পাওয়ার ঘনত্ব উন্নত করার জন্য এটি তত বেশি সহায়ক হবে। এই সুবিধাটি YUNYI-এর SiC ডায়োডগুলিকে উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে কাজ করার জন্য আরও উপযুক্ত করে তোলে। SiC ডায়োডগুলির উচ্চ ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি প্রতিরোধ ভোল্টেজ বৃদ্ধি করে এবং আকার হ্রাস করে, এবং উচ্চ ইলেকট্রনিক ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি সেমিকন্ডাক্টর পাওয়ার ডিভাইসগুলির ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বৃদ্ধি করে। একই সময়ে, ইলেকট্রন ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি বৃদ্ধির কারণে, অপবিত্রতা অনুপ্রবেশ ঘনত্ব বৃদ্ধির ক্ষেত্রে, SiC ডায়োড পাওয়ার ডিভাইসের ড্রিফ্ট অঞ্চলের ব্রডব্যান্ড হ্রাস করা যেতে পারে, যাতে পাওয়ার ডিভাইসের আকার হ্রাস করা যায়।