দুর্দান্ত দক্ষতা এবং স্থায়িত্ব 3L TO-220AB SiC ডায়োড

ছোট বিবরণ:

প্যাকেজিং কাঠামো: 3L TO-220AB

ভূমিকা: YUNYI 3L TO-220AB SiC ডায়োড সিলিকন কার্বাইড উপকরণ দিয়ে তৈরি। SiC ডায়োডের তাপ পরিবাহিতা উচ্চ, যা কার্যকরভাবে শক্তি ঘনত্ব উন্নত করতে পারে। তাপ পরিবাহিতা যত বেশি হবে, পরিবেশে তাপ স্থানান্তর করার উপাদানের ক্ষমতা তত বেশি হবে, ডিভাইসের তাপমাত্রা বৃদ্ধি তত কম হবে, পাওয়ার ডিভাইসের পাওয়ার ঘনত্ব উন্নত করার জন্য তত বেশি সহায়ক হবে, তাই এটি উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে কাজ করার জন্য আরও উপযুক্ত। SiC ডায়োডের উচ্চ ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি প্রতিরোধ ভোল্টেজ বৃদ্ধি করে এবং আকার হ্রাস করে, এবং উচ্চ ইলেকট্রনিক ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি সেমিকন্ডাক্টর পাওয়ার ডিভাইসের ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বৃদ্ধি করে। একই সময়ে, ইলেকট্রন ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি বৃদ্ধির কারণে, অপবিত্রতা অনুপ্রবেশ ঘনত্ব বৃদ্ধির ক্ষেত্রে, SiC ডায়োড পাওয়ার ডিভাইসের ড্রিফ্ট অঞ্চলের ব্রডব্যান্ড হ্রাস করা যেতে পারে, যাতে পাওয়ার ডিভাইসের আকার হ্রাস করা যায়।